Ni_（50.3）Mn_（27.3）Ga_（22.4）磁性形状记忆合金薄膜的磁性能研究

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【摘要】

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采用磁控溅射方法制备Ni50.3Mn27.3Ga22.4磁性形状记忆合金薄膜。系统研究薄膜的马氏体相变行为、磁场增强相变应变特性以及温度对磁感生应变的影响。试验结果表明,经823 K退

【作者】

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艾瑞波刘超孙祺牟海维

【机构】

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齐齐哈尔大学理学院,东北石油大学电子科学学院

【出处】

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科学技术与工程

【发表日期】

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2013年18期

【关键词】

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NIMNGA 形状记忆合金薄膜马氏体相变 Ni-Mn-Ga shape memory alloy thin film martensitic transfo

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目（51101027）, 黑龙江省新世纪优秀人才支持计划, 黑龙江省高校青年学术骨干支持项目（1251G004）, 黑龙江省教育厅科技项目（12511004）资助

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采用磁控溅射方法制备Ni50.3Mn27.3Ga22.4磁性形状记忆合金薄膜。系统研究薄膜的马氏体相变行为、磁场增强相变应变特性以及温度对磁感生应变的影响。试验结果表明,经823 K退火1 h的Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜室温下处于奥氏体态,马氏体相变开始温度为271.5 K。当沿膜面方向施加0—0.8 T磁场时,Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜的马氏体相变应变量随磁场强度的增大而增大,呈现出磁场增强马氏体相变应变效应。试验还发现,饱和磁感生应变显著依赖于测试温度。当测试温度低于拟马氏

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