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3低维体系的生长制备和分析3.1生长制备传统的电子材料和器件加工中使用以下几种工艺来形成细小尺寸的图形.1)光刻和电子束刻蚀:最小刻蚀尺度受衍射限制,对可见光,最小刻蚀尺度~0.15μm,使用软X射线可降至0.01μm,高能电子束刻蚀可达0.02μm,若使用无机抗蚀剂还可降到1nm,可用来形成量子线和量子点.