【摘 要】
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随着红外探测技术的不断进步，第三代红外探测器的发展需求日渐明晰。由于带间跃迁工作原理、暗电流抑制效应以及成熟的材料制备技术基础等因素，InAs/GaSb超晶格材料已经成为了
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随着红外探测技术的不断进步，第三代红外探测器的发展需求日渐明晰。由于带间跃迁工作原理、暗电流抑制效应以及成熟的材料制备技术基础等因素，InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的首选制备材料。基于InAs/GaSb超晶格材料的台面结型焦平面器件制备方法主要包括湿法腐蚀技术、干法刻蚀技术以及干湿法结合技术。从文献调研结果来看，湿法腐蚀技术和干法刻蚀技术各有优缺点。湿法腐蚀技术适用于单元以及少像元面阵的制备，其中磷酸系腐蚀液的腐蚀效果最佳；干法刻蚀技术适用于大面阵、小尺寸焦平面阵列的制备，几
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