【摘 要】
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针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了气体流量、射频功率和工作室气压设定值等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了线宽为40μm时深刻蚀的最佳工艺参数,即采用B
【机 构】
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中国科学院微电子研究所射频集成电路研究室,吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,
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针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了气体流量、射频功率和工作室气压设定值等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了线宽为40μm时深刻蚀的最佳工艺参数,即采用BOSCH工艺,压力设定为6Pa,在刻蚀过程中通入流量为100cm3/min的SF6气体,持续11s,射频功率20W,源功率450W,保护过程中通入流量为75cm3/min的C4F8气体,持续10s,射频功率0W,源功率220W,得到了最佳刻蚀结果,并利用此工艺制作出了量程为±12g,灵敏度为79mV/g,精度高于±2%微机械加速度传感器。
The influence of process parameters, such as gas flow rate, RF power and working chamber pressure setting, on the etching effect has been studied in detail for the ICP etching process. Finally, the deep etching on the silicon substrate with a line width of 40 μm Good process parameters, namely the BOSCH process, the pressure is set to 6Pa, the flow of 100cm3 / min of SF6 gas is introduced into the etching process for 11s, the RF power is 20W, the source power is 450W, and the flow rate is 75cm3 / min of C4F8 gas for 10s, RF power of 0W, source power of 220W, the best etching results, and the use of this process to create a range of ± 12g, the sensitivity of 79mV / g, accuracy of ± 2% Mechanical acceleration sensor.
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