纳米硅薄膜光学性质的测定与研究

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Einsun19791217

【摘要】

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通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙.计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度

【作者】

：

钟立志张维佳崔敏吴小文李国华丁琨

【机构】

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北京航空航天大学,中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

纳米硅薄膜折射率吸收系数光能隙

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通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙.计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结果吻合很好.在620 nm波长附近的吸收系数介于吸收系数较小的晶体硅与吸收系数较大的非晶硅之间,光能隙约为1.6 eV,两者都随晶态含量增大而呈减小趋势.

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