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用热处理方法对电子束蒸发制备的ZnO：Zn荧光薄膜分别进行400，600℃退火处理。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光光谱等方法，表征了ZnO：Zn荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能。在ZnO：Zn荧光薄膜的X射线衍射谱和扫描电子显微镜照片中，可以看出经退火处理后结晶状况大大改善，多晶结构趋于规则，晶粒更加均匀且膜层结构更加致密。在ZnO：Zn荧光薄膜的光致发光谱中，检测到490nm处发光峰，认为一价氧空位（Vo）充当发光中心，且薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大。实验表明