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多晶娃晶体生长中固-液界面研究进展
多晶娃晶体生长中固-液界面研究进展
来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gyl720909
【摘 要】
:
论述了多晶硅晶体生长技术的研究现状,探讨了多晶硅在定向凝固过程中的生长机制,重点阐述了多晶硅定向生长中固-液界面的形貌、杂质分布、数学模型、数值模拟以及外场对界面
【作 者】
:
张发云
饶森林
王发辉
龚洪勇
胡云
陈小会
刘俊
【机 构】
:
江西省高等学校硅材料重点实验室,新余学院新能源科学与工程学院
【出 处】
:
人工晶体学报
【发表日期】
:
2017年10期
【关键词】
:
多晶硅
界面
定向生长
杂质
外场
polycrystalline silicon
interface
directional growth
impuri
【基金项目】
:
国家自然科学基金(51664047),江西省自然科学基金(20132BAB206021)
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论述了多晶硅晶体生长技术的研究现状,探讨了多晶硅在定向凝固过程中的生长机制,重点阐述了多晶硅定向生长中固-液界面的形貌、杂质分布、数学模型、数值模拟以及外场对界面调控的影响,归纳总结目前国内外多晶硅生长界面的研究现状,展望了多晶硅晶体生长过程中固-液界面调控技术的发展前景。
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