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阐述了用ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制量子阱结构及其光学性质。样品经高分辨率光致发光（ＰＬ）测试显示，在１０Ｋ下对于８ｎｍ的单量子阱，通过激发产生的荧光谱半峰宽（ＦＷＨＭ）为６．２ｎｍ，同时具有较高的强度。表明量子阱结构具有陡峭的界面；另外还观察到，Ｘ（ｅ－ｈｈ）峰值位置相对于激发能级的移动。测试结果表明，样品质量符合设计要求，结果令人满意。