不同浓度Bi元素掺杂3C-SiC的电子结构的第一性原理研究

来源 :伊犁师范学院学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：tianjuyy

【摘要】

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利用第一性原理赝势方法计算了不同浓度Bi元素掺杂SiC（掺杂浓度分别为1/8、1/16、1/32）的电子能带结构、态密度、布居分析和差分电荷密度.计算结果表明,随着Bi元素的掺杂,SiC的

【作者】

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马梅张文蕾张晓旭张航彭彩云曹庆琪张丽丽

【机构】

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伊犁师范学院物理科学与技术学院,南京大学物理学院

【出处】

：

伊犁师范学院学报(自然科学版)

【发表日期】

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2015年3期

【关键词】

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3C-SIC 第一性原理电子能带结构态密度布居分析差分电荷密度 3C-SiC the first-principle electronic band

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利用第一性原理赝势方法计算了不同浓度Bi元素掺杂SiC（掺杂浓度分别为1/8、1/16、1/32）的电子能带结构、态密度、布居分析和差分电荷密度.计算结果表明,随着Bi元素的掺杂,SiC的能带结构发生了变化,带隙宽度逐渐减小,费米能级越过导带,表现出N型半导体的特征;相应位置的Si原子和Bi原子的正电荷逐渐转移到了C原子上,说明Bi元素的掺杂破坏了Si、C之间的共价键.

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