【摘 要】
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制备了结构为ITO/MoO3（30 nm）/NPB（40 nm）/TCTA（10 nm）/CBP∶R-4B（8%）（30 nm）/电子传输层（40 nm）/Li F（1 nm）/Al（150 nm）的器件,其中R-4B为红色磷光染料,电子传输层分别采用Alq3、Bphen∶Alq3
【机 构】
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陕西科技大学电气与信息工程学院,陕西科技大学材料科学与工程学院
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制备了结构为ITO/MoO3（30 nm）/NPB（40 nm）/TCTA（10 nm）/CBP∶R-4B（8%）（30 nm）/电子传输层（40 nm）/Li F（1 nm）/Al（150 nm）的器件,其中R-4B为红色磷光染料,电子传输层分别采用Alq3、Bphen∶Alq3（x%）和Bphen,对3种不同电子传输层器件的发光性能进行了研究。结果表明:Bphen∶Alq3（x%）作为电子传输层的器件与Alq3或Bphen作为电子传输层的器件相比,亮度提高了约3.5倍,电流效率提高了1.12.5倍,效率滚降变得平缓。采用Bphen∶Alq3作为电子传输层,不仅减小了电子在LUMO能级传输时的跳跃传输距离,而且在一定程度上抑制了Bphen的结晶,使器件的电子传输能力和效率滚降性能得到改善。
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