GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hisandy

【摘要】

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采用分子束外延设备（MBE）,外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度,分别对比了材料二维电

【作者】

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崔晓然吕红亮李金伦苏向斌徐应强牛智川

【机构】

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西安电子科技大学微电子学院,中国科学院半导体研究所超晶格实验室,中国科学院大学材料科学与光电技术学院,中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区导弹工程系,西北大学光子学与光子技术研究所

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2018年4期

【关键词】

：

二维电子气迁移率高电子迁移率晶体管(HEMT) 分子束外延(MBE) 2DEGmobilityhigh electron mobility transist

【基金项目】

：

Supported by the National Key Technologies R＆D Program（2016CBYFB0402403）

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采用分子束外延设备（MBE）,外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度,分别对比了材料二维电子气特性的变化,并在隔离层厚度为5nm时,获得了室温电子迁移率为20500cm~2/V·s,面电荷密度为2.0×1012/cm~2的InAs/AlSb二维电子气结构样品,为InAs/AlSb高电子迁移率晶体管的研究和制备提供了参考依据.

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