【摘 要】
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采用射频等离子体辅助分子束外延（RF-MBE）方法在6H-SiC衬底上制备纤锌矿结构的氮化铟（InN）薄膜.利用原位X射线光电子能谱测试确定了InN的修正俄歇参数α′=852.76eV和Wagner图,In
【基金项目】
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国家自然科学基金（批准号：60877020,60976010）
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采用射频等离子体辅助分子束外延（RF-MBE）方法在6H-SiC衬底上制备纤锌矿结构的氮化铟（InN）薄膜.利用原位X射线光电子能谱测试确定了InN的修正俄歇参数α′=852.76eV和Wagner图,InN的铟氮质量比为1.19;扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明,外延InN为网状结构,表面无铟滴;X射线衍射测试表明,薄膜为单一c轴择优取向生长,其摇摆曲线半高宽为32.6弧分;室温光致发光峰中心位于1 575nm处.
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