【摘 要】
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通过溶胶-凝胶方法制备了稀土离子Eu^3＋和Ga^3＋共掺杂的SiO2材料;利用IR、XRD等研究了材料的结构,结果表明材料属于非晶态,800℃退火后样品的主要结构仍为SiO2的网状结构。400
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通过溶胶-凝胶方法制备了稀土离子Eu^3＋和Ga^3＋共掺杂的SiO2材料;利用IR、XRD等研究了材料的结构,结果表明材料属于非晶态,800℃退火后样品的主要结构仍为SiO2的网状结构。400℃退火的样品在393nm激发下发射光谱显示了Eu^3＋的特征发射光谱,产生3条明显谱带,分别是576nm（^5D0-^7F0）,588nm（^5D0-^7F1）,612nm（^5D0-^7F2）。588nm（^5D0-^7F1）处的跃迁在800℃退火后发生猝灭,这是因为发光中心Eu^3＋的化学环境由于掺入Ga^3＋
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