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ＳｉＣ具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。本文简要介绍ＳｉＣ半导体材料的液相外延、化学气相和分子束外延生长的概况及生长过程中杂质的控制。
半导体SiC材料的外延生长
【摘 要】
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ＳｉＣ具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有
【机 构】
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中国科学院半导体所
【出 处】
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高技术通讯
【发表日期】
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1998年7期
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