论文部分内容阅读
利用调Q红宝石激光器(λ=6943A,τ=30mμs,能量1.8～2J/cm~2),对LPCVD和常压CVD生长的多晶硅薄膜(5000A)离子注入后进行退火。用透射电子显微镜观察晶粒结构;用X衍射仪测定其优选晶向;用Vanderpauw方法测定电阻率、迁移率和戴流子浓度;用阳极氧化逐步去层结合Vanderpauw霍耳测量测定截流子及迁移率分布。发现晶粒经激光退火后,由200～1000A~0增大至1μ量级;优选晶向增强(100)晶向;戴流子电激活几乎可达100％;迁移率符合王阳光等所提出的理论模型;戴流子在多晶硅膜内的分布变的更加平坦。