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高功率InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器的研制
高功率InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器的研制
来源 :黑龙江科技信息 | 被引量 : 0次 | 上传用户:BerrySZ
【摘 要】
:
本文通过对荣华二采区10
【作 者】
:
晏长岭
宁永强
秦莉
张淑敏
赵路民
王青
刘云
初国强
王立军
姜会林
【机 构】
:
中国科学院激发态开放重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130021,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;中国科学院激发态开放重点实验室,中国科学院长
【出 处】
:
黑龙江科技信息
【发表日期】
:
2004年9期
【关键词】
:
高功率半导体激光
垂直腔面发射激光器
氧化物限制工艺
量子阱
对称光束
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