【摘 要】
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本文在表面基模型基础上,借用半导体物理中复合/产生概念,提出表面基/复合中心模型,并研究了含两种类型表面基的Si3N4绝缘体及其两种表面基(硅醇基和胺基)的比率对Si3N4栅pH-ISFET敏感性能和稳定性的影
【机 构】
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中科院上海冶金所,东南大学微电子中心
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本文在表面基模型基础上,借用半导体物理中复合/产生概念,提出表面基/复合中心模型,并研究了含两种类型表面基的Si3N4绝缘体及其两种表面基(硅醇基和胺基)的比率对Si3N4栅pH-ISFET敏感性能和稳定性的影响,其结果与实验结果相符。对改善pH-ISFET传感器的敏感特性具有实际指导意义。
Based on the surface-based model, we use the concept of recombination / generation in semiconductor physics to propose a surface / recombination center model and investigate the effect of Si3N4 insulator with two types of surface groups and two surface groups (silanol groups and amine groups ) Ratio on the sensitivity and stability of Si3N4 gate pH-ISFET. The results are consistent with the experimental results. It is of practical significance to improve the sensitivity of pH-ISFET sensors.
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