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为实现短波长光存储材料，提出一种基于金属纳米粒子与染料共掺杂的复合材料制备新方法。采用透射电子显微镜（TEM）、紫外-可见吸收光谱（UV—Vis）以及傅立叶变换红外光谱（FT—IR）对所制备的复合薄膜进行表征。实验发现，与未掺杂银的薄膜相比，掺杂银的复合薄膜中甲基橙的吸收蓝移了6nm。提出并刺用超分子结构模型分析了该吸收蓝移的机理。研究结果显示，本研究所提出的这种新的材料制备方法具有制备吸收波长在400～500nm，且可望与GaN激光器在光存储技术中匹配的能力。