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通过一系列的工艺步骤，在半导体功率器件含有场限环（FLR）的结终端上覆盖了一层300nm厚、介电常数高的钛酸锶钡（BST）膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明，在覆盖BST膜后，FRL结终端的结构击穿电压提高了50％。这证明BST膜能够提高器件的击穿电压。