【摘 要】
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In this paper, ATLAS 2D device simulator of SILVACO was used for device simulation of invertedstaggered thin film transistor using amorphous indium gallium zinc oxide as active layer (a-IGZO-TFT) with double active layers, based on the density of states (
【机 构】
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SchoolofOpticalandElectronicInformation,HuazhongUniversityofScienceandTechnology,Wuhan430074,China
【出 处】
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FrontiersofOptoelectronics
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In this paper, ATLAS 2D device simulator of SILVACO was used for device simulation of invertedstaggered thin film transistor using amorphous indium gallium zinc oxide as active layer (a-IGZO-TFT) with double active layers, based on the density of states (DOS) model of amorphous material. The change of device performance induced by the thickness variation of each active layer was studied, and the interface between double active layers was analyzed. The best performance was found when the interface was near the edge of the channel, by optimizing the thickness of each active layers, the high performance device of threshold voltage (Vth) = – 0.89 V, sub-threshold swing (SS)= 0.27, on/off current ratio (ION/IOFF) = 6.98 × 1014 was obtained.
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采用太赫兹时域光谱(THz-TDS)技术对受到不同程度热损伤的氟橡胶材料进行检测,获得各样品在0.4~1 THz波段的时域光谱、频域光谱和吸收谱。结果发现,氟橡胶材料的太赫兹特征谱段介于-382~-376 ps之间。进一步对不同程度热损伤样品的太赫兹特征谱段的最大值、峰峰值和吸收系数进行对比和拟合分析,结果发现,氟橡胶材料特征谱段的最大值、峰峰值和吸收系数均与热损伤温度存在良好的线性关系,相关系数可达0.9614。研究结果可为氟橡胶材料的太赫兹无损识别和热损伤定量检测提供参考。
To study the efficacy and side effects of antitumor drug by the method of Raman spectroscopy, the cancerous (SGC-7901) and normal (GES-1) gastric cells were treated with 0, 25-, 100-, and 200-mg/L 5-fluorouracil (5-Fu) for 24 h, respectively, then Raman s
采用湿化学法，以石墨粉为原料，脱氧胆酸钠为表面活性剂，水为溶剂，利用超声波分散技术制备石墨烯水溶液；利用台式匀胶机制得石墨烯薄膜，并通过紫外吸收光谱对石墨烯溶液和薄膜进行了表征。采用锁模光纤激光器对石墨烯的可饱和吸收特性进行了研究。结果表明，石墨烯溶液和薄膜均具有非线性可饱和吸收特性，且其可饱和吸收特性无波长选择特性。石墨烯成本远远低于作为锁模器件的半导体可饱和吸收镜(SESAM)，具有类可饱和吸收体无法比拟的优势。
用激光辐射加热含有氘离子的等离子体时，可利用微微秒和毫微秒脉冲，目前已成功地测量到中子。这些实验不仅加热方式不同（热传导方式和气体动力学方式)，而且靶的化学成分也不同。
与传统的双异质结激光器相比，多量子阱激光器的阈值电流密度低，阈值电流与温度关系较小，动态特性也有所改善。然而，对髙功率发射没做过任何研究，尽管D. R. Scifres等人已从多条形（40条宽为3.5 μm的列阵)锁相多量子阱(MQW)激光器中获 得高达2.6 W的输出功率。
Qnantel公司位于法国巴黎近郊，是一家专门生产和经销脉冲激光器的专业公司。总公司设在巴黎，有职员75人；分公司设在美国，有职员25人。该公司十年前由经理、原非线性光学教授Georges Bret创办的，目前已成为法国生产高性能激光器的主要公司之一。它的产品主要有:系列化Nd:YAG脉冲激光器、红宝石激光器和钕玻璃激光器，TDL高性能Nd:YAG泵浦可调谐染料激光系统是最新研制成功投入市场的。所有产品都为科学研究而生产的，因此具有较高的水平，在美、日和西欧市场具有一定竞争能力。
为实现对垂直腔面发射半导体激光器氧化孔径的精确控制, 提高其光电特性, 对湿法氧化工艺进行了实验研究.在不同的氧化温度下, 对相同结构的垂直腔面发射半导体激光器模拟片进行湿法氧化.采用X射线能谱分析仪, 对氧化后模拟片的氧化层按不同的氧化深度对其氧化生成物进行检测.依据氧化生成物中氧元素组分浓度的变化, 对氧化过程进行了分析与讨论, 推导出在一定的温度下, 氧化速率随时间变化的一般规律.提出了在垂直腔面发射半导体激光器的湿法氧化工艺过程中, 适当降低氧化温度, 延长氧化时间, 可减小氧化限制孔径的控制误差