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近年来，GaN基发光二极管发展迅猛，但其发光效率一直是制约LED在照明领域广泛应用的主要瓶颈。本文简要介绍了提高发光二极管外量子效率的几种途径：生长分布布喇格反射层（DBR）结构，表面粗化技术，异性芯片技术，采用光子晶体结构，倒装芯片技术，激光剥离技术，透明衬底技术等。
GaN基发光二极管外量子效率研究进展
【摘 要】
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近年来，GaN基发光二极管发展迅猛，但其发光效率一直是制约LED在照明领域广泛应用的主要瓶颈。本文简要介绍了提高发光二极管外量子效率的几种途径：生长分布布喇格反射层（DBR）结构，
【机 构】
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西安中为光电科技有限公司
【出 处】
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光机电信息
【发表日期】
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2010年1期
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