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采用改进的两温区气相输运合成方法（MTVTM）合成PbI2多晶原料,简化了合成工艺,有效避免了合成安瓿爆炸。XRD分析结果表明：新方法合成的PbI2多晶原料纯度高,具有2H结构,P3ml空间群,晶格常数a=b=0.4560 nm,c=0.6979 nm。以此为原料,用垂直布里奇曼法（VBM）生长出电阻率达10^13Ω·cm的PbI2单晶体。