【摘 要】
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用sol-gel法在Pt／SiO2／Si基片上制备了未掺杂和掺杂Zn的钛酸锶钡（BST）薄膜，用XRD对BST薄膜进行了物相分析，研究了Zn掺杂对薄膜的表面形貌和介电调谐性能的影响。结果表明：室温下，随着
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（60244003）.
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用sol-gel法在Pt／SiO2／Si基片上制备了未掺杂和掺杂Zn的钛酸锶钡（BST）薄膜，用XRD对BST薄膜进行了物相分析，研究了Zn掺杂对薄膜的表面形貌和介电调谐性能的影响。结果表明：室温下，随着Zn加入量的增加，BST薄膜的介电常数减小，介质损耗降低，介电调谐量增加。x（Zn）为0．025的BST薄膜具有最大的优越因子（FOM），其值为29．28。
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