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本文报导了关于高阻Ｎ型区熔ＮＴＤ－Ｓｉ－Ｐ＾＋Ｎ结二极管经电子辐照后的等温退火特性，获得５个缺陷能级：Ｅ１＝０．１６ｅＶ，Ｅ２＝０。．２７ｅＶ，Ｅ３＝０．３１ｅＶ，Ｅ４＝０．３７ｅＶ６和Ｅ５＝０．４２ｅＶ，结果表明Ｅ３和Ｒ４有比其它３个能极更好的热稳定性。
电子辐照NTD FZ Si等温退火特性
【摘 要】
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本文报导了关于高阻Ｎ型区熔ＮＴＤ－Ｓｉ－Ｐ＾＋Ｎ结二极管经电子辐照后的等温退火特性，获得５个缺陷能级：Ｅ１＝０．１６ｅＶ，Ｅ２＝０。．２７ｅＶ，Ｅ３＝０．３１ｅＶ，Ｅ４＝０．３７ｅＶ６和Ｅ５＝０．４２ｅＶ，结果表明Ｅ３和Ｒ４有比其它３个能极更好的热稳定性。
【机 构】
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郑州大学图书馆,郑州大学物理工程学院
【出 处】
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郑州大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1999年3期
【基金项目】
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河南省教委自然科学基金
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