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彩硅栅结构的自对准离子注入工艺，研制成功了源漏击穿电压ＢＶＤＳ为１２０Ｖ，输出功率５．１Ｗ，功率增益８ｄＢ，跨导６５０ｍＳ，截止频率ｆＴ为２７０ＭＨｚ的高压双栅功率ＭＯＳＦＥＴ器件。介绍了器件结构参数和惨数的设计，给出了计算机数值分析结果。
VHF高压双栅功率MOSFET的研制
【摘 要】
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彩硅栅结构的自对准离子注入工艺，研制成功了源漏击穿电压ＢＶＤＳ为１２０Ｖ，输出功率５．１Ｗ，功率增益８ｄＢ，跨导６５０ｍＳ，截止频率ｆＴ为２７０ＭＨｚ的高压双栅功率ＭＯＳＦＥＴ器件。介绍了器件结构参数和惨数的设计，给出了计算机数值分析结果。
【机 构】
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深爱半导体有限公司,四川成都电子科技大学
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1999年1期
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