【摘 要】
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采用高温水热法和共沉淀法制备了不同摩尔比的pn型Cu2O-WO3复合半导体材料。并利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)对样品的形貌特征和晶格结构进
【机 构】
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天津大学化工学院杉山表面技术研究室
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采用高温水热法和共沉淀法制备了不同摩尔比的pn型Cu2O-WO3复合半导体材料。并利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)对样品的形貌特征和晶格结构进行表征。表征结果显示,复合材料由立方相的Cu2O和六方相的WO3组成。与纯WO3物质相比,Cu2O-WO3复合半导体材料的紫外吸收边界发生显著红移,在可见光波长范围内的光吸收明显增强,展示出优良的光电流响应性能。以罗丹明B(Rh B)溶液的光降解表征材料的光催化性能的过程中,在可见光下光照8h后,相较于WO3和Cu2O仅为
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