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采用RF磁控溅射法在Si(001)衬底上制备ZnO薄膜.研究发现了工作中溅射频率、氧气和氩气流量比对样品结构的影响.样品的XRD图谱显示了强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.比较不同条件下制备的ZnO薄膜,研究发现当氧气和氩气的流量比相同时,随着溅射功率的增加,样品的(002)衍射峰增强,半高全宽较小.而当溅射功率相同时,随着氧气和氩气的流量比增加,样品的(002)衍射峰也增强,半高全宽同样变小.此外,本文还分析了溅射工艺和薄膜晶体质量之间的关系,发现在相同的功率条件下,溅射率低时晶粒尺寸更大且薄膜的结晶性更好.