【摘 要】
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采用常压烧结原位反应合成的方法制备了SiC／SiC复合材料，碳和硅是以滤纸和酚醛树脂为c源，采取滤纸表面涂覆sj粉树脂悬浮液的方法引入。采用XRD，SEM以及EDAX分别分析了材料的组成
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采用常压烧结原位反应合成的方法制备了SiC／SiC复合材料，碳和硅是以滤纸和酚醛树脂为c源，采取滤纸表面涂覆sj粉树脂悬浮液的方法引入。采用XRD，SEM以及EDAX分别分析了材料的组成和微观机构，并重点分析了复合材料中SiC纳米线的生成与生长机理。结果表明，在温度为1430℃时，制备的SiC纳米线表面光滑，尺寸均一，长径比大于10^3，其生长机制为VS机制，由此开发了一种一步法制备SiC／SiC复合材料的新方法。
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