【摘 要】
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采用双多晶硅栅全耗尽CMOS/SIMOX工艺成功研制出双多晶硅栅器件 ,其中N +栅NMOS管的阈值电压为0.45V ,P +栅PMOS管的阈值电压为 -0.22V ,在1V和5V电源电压下双多晶硅栅环振电
【机 构】
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采用双多晶硅栅全耗尽CMOS/SIMOX工艺成功研制出双多晶硅栅器件 ,其中N +栅NMOS管的阈值电压为0.45V ,P +栅PMOS管的阈值电压为 -0.22V ,在1V和5V电源电压下双多晶硅栅环振电路的单级门延迟时间分别为1.7ns和350ps,双多晶硅栅SOI技术将是低压集成电路的一种较好选择。
The dual-polysilicon gate device has been successfully developed with dual polysilicon gate fully depleted CMOS / SIMOX technology. The threshold voltage of N + gate NMOS is 0.45V, the threshold voltage of P + gate PMOS is -0.22V, Single-gate gate delay of double polysilicon gate ring oscillator circuit under voltage is 1.7ns and 350ps respectively. Dual SOI technology will be a good choice for low-voltage integrated circuits.
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