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为了研究器件参数对ＧｅＳｉ ＭＯＳＦＥＴ器件性能的影响，本文在建立一个简单的ＧｅＳｉ ＭＯＳＦＥＴ的器件模型的基础上，对ＧｅＳｉ ＭＯＳＦＥＴ的纵向结构进行了系统的理论分析，确定了纵向结构的ＣＡＰ层厚度、沟道层载流子面密度、ＤＥＩＴＡ掺杂浓度以及量子阱阱深之间的关系，得出了阈值电压与ＤＥＬＴＡ掺杂浓度、栅氧化层厚度以ＣＡＰ层厚度之间的关系，还得出了栅压与沟道载流子面密度、栅氧化层厚度及ＣＡＰ层厚度