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采用DevEdit3D构建了5＆#215;5的像元结构模型，在基于Lnuminous1μm的近红外的照射下，利用SilvacoTCAD仿真了像元中心距、阱深、衬底掺杂浓度等工艺参数对其电荷收集量和像元串扰程度的影响。仿真测得电荷收集量随像元中心距和阱深的增大而增大，随衬底掺杂浓度的增大而减小；像元间串扰程度与像元中心距的大小以及阱深的深度成反比，与衬底掺杂浓度的大小成正比。最后对以上影响的成因进行了理论分析。