【摘 要】
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采用热蒸发法,以SiO与活性碳混合粉末为原料在1400℃的条件下制备出SiC纳米线。通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能谱仪(EDS)及X-射线衍射分析(XRD)等手段对
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采用热蒸发法,以SiO与活性碳混合粉末为原料在1400℃的条件下制备出SiC纳米线。通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能谱仪(EDS)及X-射线衍射分析(XRD)等手段对制备的SiC纳米线进行了表征及生长机理分析。研究表明:SiC纳米线表面光滑、平直,沿[111]方向生长,直径为30～60nm,长约数十微米,内部为约数十纳米的SiC晶体层外部约为2nm的SiO2层的异质机构。SiO作为硅源时的SiC纳米线产量高于其他硅源。最后通过光致发光(PL)光谱研究了SiC纳米线的PL特性。
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