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采用二维器件仿真软件Medici,模拟分析了SiCOI(绝缘衬底上SiC)MESFET器件的结构参数,如有源层掺杂浓度、栅长和有源层厚度等,对器件特性(阈值电压和跨导)的影响.结果表明,其结构参数对器件特性有较大影响.同时,对所得结果从内部物理机制上进行了分析.
6H-SiCOI MESFET器件结构参数对其特性的影响
【摘 要】
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采用二维器件仿真软件Medici,模拟分析了SiCOI(绝缘衬底上SiC)MESFET器件的结构参数,如有源层掺杂浓度、栅长和有源层厚度等,对器件特性(阈值电压和跨导)的影响.结果表明,其
【机 构】
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西安电子科技大学
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2004年3期
【基金项目】
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国防预先研究项目资助课题(41308060106)
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