低功耗低相位噪声4.8GHz CMOS压控振荡器芯片设计

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采用TSMC0.181μm RFCMOS工艺设计并实现了一个应用于无线传感器网络射频前端频率综合器的低功耗、低相位噪声4.8GHz电感电容压控振荡器。此振荡器的核心电路采用电流源偏置的互补差分负阻结构,降低了电路对电源电压变化的灵敏度和功耗。电感电容谐振腔采用了降低相位噪声的设计方法。在不恶化相位噪声性能的前提下,核心电路还采用3比特的开关电容阵列提高了振荡器的频率调谐范围。测试结果表明,在电源电压为1.8V时,此振荡器的频率调谐范围可达20%,可有效克服因电源波动、工艺角偏差以及温度变化等而引起的偏差;
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