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对晶向为（100）的p型单晶硅片进行表面刻蚀，制作减反射绒面。选用了一种新型的腐蚀剂，即醋酸钠（CH3COONa）溶液，用来腐蚀单晶硅太阳电池。通过分别改变醋酸钠溶液的浓度、温度以及腐蚀时间对硅片表面进行腐蚀发现，经醋酸钠溶液腐蚀后在硅片表面形成腐蚀坑大小适中、分布均匀的绒面结构。在醋酸钠溶液的质量分数为20％、温度为95℃、时间为40min的条件下腐蚀单晶硅片，在波长为700-1000nm之间获得较低的平均表面反射率，且最佳平均反射率为12．14％。从实验结果和成本因素考虑，这种腐蚀剂的成本很低，不易污