三硼酸锂（ＬｉＢ３Ｏ５简称ＬＢＯ）晶体作为一种比较新的非线性光学材料，逐渐得到广泛的应用。但是由于ＬＢＯ晶体Ｏ－Ｂ－Ｏ键链结构特点，晶体生长比较困难，主要是因为溶液粘滞度太大，边界层太厚，溶质输运不畅，排杂和排出溶剂的能力较低。在生长过程中出现的宏观和微观缺陷较多。本文通过光学方法和Ｘ射线形貌方法，分析了晶体中的各种缺陷，并提出减少这些缺陷生成的具体措施。通过研究发现ＬＢＯ晶体主要有以下几种较为严重的缺陷。１．籽晶周围的严重包藏研究发现，一般晶体的籽晶周围都存在着较为严重的多晶堆积型包藏，是一种较明显的宏观缺陷，它的形成原因：一是籽晶内应力的释放造成新的生长分子集团的取向改变，二是籽晶上的杂质粒子凝聚在晶体表面使晶格失配，而且往往形成多晶堆积。一般在籽晶恢复期，因籽晶较小，溶液搅拌效果差，溶质输运不畅，很难形成一个较好的正常生长环境，一般解决的方法是很好地溶解籽晶，提高晶体的转速，加大搅拌，加大过饱和度，加快生长是很有效的。２．晶体内散射颗粒ＬＢＯ晶体结构中存在着（Ｂ３Ｏ７）硼氧环阴离子基团，坚固的Ｏ－Ｂ－Ｏ键链形成了三维网络结构。晶体生长溶液具有较大的粘滞性，晶体在生长过程中边界层厚度对晶体的生长有严重影?