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CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点。综述了考虑抛光液的流动、抛光垫的弹性和硬度、研磨颗粒的大小和硬度等不同因素的机制模型,并对基于不同假设的模型作了分析和比较。最后对CMP模型未来的发展和研究方向提出了展望。
ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型
【摘 要】
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CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点。综述了考虑抛光液的流动、抛光垫的弹性和硬度、研磨颗粒的大小和硬度等不同因素的机制模型,并对基于
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
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润滑与密封
【发表日期】
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2006年05期
【基金项目】
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中国博士后基金(2005037522);中国科学院王宽诚博士后工作奖励基金资助项目(20040916094306);上海市博士后基金(05R214156);上海-应用材料科技合作共同计划(AM基金0414);上海市纳米专项(05nm05043);中国科学院资助项目(Y2005027);上海市科委项目(0452nm012,04DZ05612,04ZR14154,04JC14080,05JC140
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