【摘 要】
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采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功地制备了SmTbCo/Cr非晶垂直磁化膜,对薄膜的磁特性与温度特性进行了研究。薄膜组分为（Sm0.286Tb0.714）31Co69/Cr时,其饱和磁化强度为330kA/
【机 构】
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常州工学院,华中师范大学物理科学与技术学院
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采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功地制备了SmTbCo/Cr非晶垂直磁化膜,对薄膜的磁特性与温度特性进行了研究。薄膜组分为（Sm0.286Tb0.714）31Co69/Cr时,其饱和磁化强度为330kA/m,矫顽力为398 kA/m,薄膜的磁各向异性能值高达415kJ/m3;该种薄膜的居里温度在220℃左右,补偿温度在室温附近。扫描隧道显微图像表明,该种薄膜在经过220℃升温处理以后,原子团簇并没有明显改变。
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