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首次用高灵敏度云纹干涉法对铜基多晶体形状记忆合金的伪弹性行为进行了实验研究，得到了单轴拉伸试件在不同加卸载阶段应力诱发的相变塑性全场分布。实验结果表明：一些晶粒内部的相变塑性几乎均匀分布，但不同晶粒之间的变形差异很大，各晶粒的伪弹性行为明显不同。
铜基多晶体形状记忆合金伪弹性的实验研究
【摘 要】
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首次用高灵敏度云纹干涉法对铜基多晶体形状记忆合金的伪弹性行为进行了实验研究，得到了单轴拉伸试件在不同加卸载阶段应力诱发的相变塑性全场分布。实验结果表明：一些晶粒内部
【机 构】
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天津大学力学系,清华大学工程力学系
【出 处】
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力学学报
【发表日期】
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1995年4期
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