CdSe/TiO_2复合薄膜的制备及光电性能研究

来源 :材料工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wuhuizuizong

【摘要】

：

以Se02，CdCl2·5／2H2O9H2SO4为原料，采用三电极体系，分别在ITO玻璃和Ti02纳米管阵列基底上沉积CdSe薄膜。研究了不同沉积电压（-0．6，-0．7，-0．8，-0．9V，均相对于SCE）下制备的复合薄膜的晶

【作者】

：

薛晋波李雪方梁伟王红霞

【机构】

：

太原理工大学材料科学与工程学院,太原理工大学山西省新材料工程技术研究中心,太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室

【出处】

：

材料工程

【发表日期】

：

2013年1期

【关键词】

：

电化学沉积 TIO2纳米管沉积电压 CdSe纳米晶薄膜 electrochemical deposition TiO2 nanotube deposited

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以Se02，CdCl2·5／2H2O9H2SO4为原料，采用三电极体系，分别在ITO玻璃和Ti02纳米管阵列基底上沉积CdSe薄膜。研究了不同沉积电压（-0．6，-0．7，-0．8，-0．9V，均相对于SCE）下制备的复合薄膜的晶体结构和微观形貌，并测试了其光电性能。结果表明：制备出的纳米粒子呈不均匀团聚状态；随沉积电压的增大，光吸收增强，光响应电流增大，在沉积电压为-0．8V时复合薄膜的光响应电流达到最大值，但此沉积电压下的薄膜容易剥落。综合考虑薄膜质量和光响应电流，沉积电压为-0．7V时制备

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