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针对一种高压驱动芯片的失效问题,本文分析了其失效机理,主要通过电性能分析、光学显微镜分析、透射射线分析和开盖检查等分析手段,定位了该集成电路的失效点和失效机理,并通过复现试验确认了驱动芯片失效的原因。输入端的高能量外部过电应力(EOS)过流与过热,使晶圆内部线路发生熔化,造成驱动芯片的输入端和电源正极短路,引发器件失效。