【摘 要】
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亚微米尺寸金属电极在高电子迁移率晶体管（HEMT）等半导体电子学器件中有重要应用,其制作是器件制作中的关键工艺,对器件性能有着重要影响.本文选择合适的涂胶旋转转速、烘烤温
【机 构】
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中国工程物理研究院激光聚变研究中心,中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心
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亚微米尺寸金属电极在高电子迁移率晶体管（HEMT）等半导体电子学器件中有重要应用,其制作是器件制作中的关键工艺,对器件性能有着重要影响.本文选择合适的涂胶旋转转速、烘烤温度（180℃ ）和时间,可以有效地减少电子束曝光后所产生的气泡.通过对聚甲基丙烯酸甲酯/聚二甲基戊二酰亚胺（ P M M A / P M G I ）双层胶进行电子束曝光和显影, 确定了合适的曝光剂量为550 μC/cm^2 .通过调整显影液配比, 并将显影时间控制在合理范围, 获得了光滑完整的PMMA/PMGI 双层光刻胶曝光图形.开发了
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