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给出了估计硅片在键合过程中实际接触面积的理论模型．模型描述了硅片表面的凸起分布及其弹性形变对接触面积的影响．对于满足键合条件的硅片表面，荷载压力和表面吸附是促使接触面积增加的主要因素．
硅片键合过程中的接触面积
【摘 要】
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给出了估计硅片在键合过程中实际接触面积的理论模型．模型描述了硅片表面的凸起分布及其弹性形变对接触面积的影响．对于满足键合条件的硅片表面，荷载压力和表面吸附是促使接触面
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室
【出 处】
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飞通光电子技术
【发表日期】
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2002年1期
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