【摘 要】
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利用电子束沉积技术首次制备了氟化铒（ErF3）掺杂的氧化铟（In2O3）透明导电薄膜（IEFO）,研究了薄膜的晶体结构、光学特性和电学特性。利用原子力显微镜测试了不同厚度薄膜的形貌,初步
【机 构】
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发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院大学
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利用电子束沉积技术首次制备了氟化铒（ErF3）掺杂的氧化铟（In2O3）透明导电薄膜（IEFO）,研究了薄膜的晶体结构、光学特性和电学特性。利用原子力显微镜测试了不同厚度薄膜的形貌,初步研究了薄膜的生长过程。研究发现：IEFO薄膜为多晶结构,Er原子的掺入改变了薄膜的优势生长方向,使薄膜在（211）、（222）、（444）3个方向上的生长趋势基本相同。薄膜电阻率为1.265×10-3Ω.cm,电子迁移率为45.76 cm2.V-1.s-1,电子浓度为1.197×1020cm-3,在38
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