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采用Ti／Ni／Au多层金属在高掺杂n型4H—SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形，通过传输线法（Transmission Line Method，TLM）测量得到的最小比接触电阻为1．4×10^-5Ω·cm^2．经500℃N2老化后接触电阻大约有一个数量级的增加并保持稳定。
SiC上Ti／Ni／Au多层金属的欧姆接触特性
【摘 要】
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采用Ti／Ni／Au多层金属在高掺杂n型4H—SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形，通过传输线法（Transmission Line Method，TLM）测量得到的最小比接触电阻为1．4×10^-5Ω·cm^2．经50
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2006年6期
其他文献
对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜（AFM）、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP