n沟道4H-SiC MESFET研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wangzhujiaqiao
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
报告了4H-SiC MESFET的研制.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制成单栅宽120 μm n沟道4H-SiC MESFET,其主要直流特性为:在Vds=30 V时,最大漏电流密度Idss为56 mA/mm,最大跨导Gm为15 mS/mm;漏源击穿电压最高达150 V;微波特性测试结果:在fo=1 GHz、Vds=32 V时该器件最大输出功率7.05 mW,在fo=1.8 GHz、Vds=32 V时最大输出功率3.1 mW.
其他文献
特发性血小板减少性紫癜(ITP)是-种较常见的出血性疾病,成年ITP患者多数发展为慢性,约20%的慢性ITP(CITP)患者对肾上腺皮质激素和脾切除治疗均无效。为了探讨重组人白细胞介素-11(rhI
用Raman谱和AES能谱分析了用RTP/VLP-CVD方法生长在Si衬底上的SiGeC合金外延薄膜的应变.结果表明:用RTP/VLP-CVD方法生长的SiGeC合金中掺入的C呈间隙原子或替位原子的形式分
胸部创伤是临床常见的急症,常有严重的复合伤,死亡率高。DR片对明确创伤部位、性质、程度的敏感性及特异性较普通的x线片高、及早进行数字放射x线(DR)检查,明确诊断,及时进行救治,对
在激光灼蚀(PLD)系统中,采用流动的N2作为环境气体成功制备了尺寸从2纳米到几纳米之间的纳米硅,并在1.60~1.75 eV之间观测到了较强的光致发光谱:结合Raman散射和光致发光谱的
从基本物理原理入手,介绍了压电变压器的工作机理;列出了典型的压电变压器,结合器件设计方法,详细分析了不同压电变压器的特点和使用领域。在此基础上.提出微型压电变压器这一发展
特重型颅脑损伤GCS3~5分是当今颅脑损伤治疗的重点和难点,死亡率很高,尤其是GCS3分颅脑损伤病人死亡率几乎100%。目前对于特重型颅脑损伤病人的治疗主要以手术、脱水降颅压、抗生
以金属钼粉为原料制备的过氧钼酸为前驱体溶液,直接在导电玻璃表面水热生长纳米氧化钼薄膜,并组装成电致变色器件,研究了器件的电致变色性能。研究表明:180±C下以过氧钼
我院自2003年6月~2006年6月采用定型产品对64例腹股沟疝进行无张力疝修补术,取得近期满意效果。现报告如下。
船舶除锈能够对钢材表面进行良好的预处理,是船舶涂装工艺的第一步,使船舶表面涂层达到预期的保护效果。通过对几种船舶除锈方法优缺点的比较,得出高压磨料射流是船舶除锈的
结肠炎临床并不少见,治疗方法很多,各说纷坛,但疗效难以肯定。我们采用血竭粉加利多卡因保留灌肠治疗慢性结肠炎,取得较好的疗效,现报告如下。