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研究了以ＷＳｉ０．６复合材料作为靶源，采用直流空溅射工艺成膜，不同退火温度下ＧａＡｓ衬底材料上ＷＳｉ０．６膜层的特性。包括ＷＳｉ０．６／ＧａＡｓ系统断面ＳＥＭ分析，ＡＥＳ界面机构分析、表面形貌分析及金属－半导体肖特基势垒特性分析，实验结果表明，在氩气压力为１３３Ｐdisplay status
钨硅／砷化镓肖特基接触的热稳定性分析
【摘 要】
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研究了以ＷＳｉ０．６复合材料作为靶源，采用直流空溅射工艺成膜，不同退火温度下ＧａＡｓ衬底材料上ＷＳｉ０．６膜层的特性。包括ＷＳｉ０．６／ＧａＡｓ系统断面ＳＥＭ分析，ＡＥＳ界面机构分析、表面形貌分析及金属－半导体肖特基势垒特性分析，实验结
【机 构】
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上海交通大学应用物理系微电子技术研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1997年2期
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