【摘 要】
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利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al2O3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜.使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春职业技术学院
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划)，中国科学院知识创新工程项目，中国科学院"百人计划"，国家自然科学基金
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利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al2O3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜.使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0.20° ,证实为ZnO单晶薄膜.室温下吸收谱(ABS)和光致发光(PL)谱显示了较强的激子吸收和发射,且无深能级(DL)发光.电学性能测量表明,生长的ZnO为n型半导体,室温下载流子浓度为7×1016cm-3,与体单晶Zn
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