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镁流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜特性的影响

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tata890

【作 者】

：

牛南辉  王怀兵  刘建平  刘乃鑫  刑燕辉  韩军  邓军 

【出 处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2006年09期

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