论文部分内容阅读
采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H—SiC薄膜，研究了C3Hs气体流速对薄膜结晶质量的影响．随着C3H8气体流速的降低，薄膜的结晶质量先增加后降低，表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制，而后受质量输运控制．所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜，其摇摆曲线半高宽为0．6°，已经达到单晶水平．没有使用AlN过渡层，制备出结晶质量更好的SiC薄膜，表明对于蓝宝石衬底上SiC薄膜的生长，起决定性因素的是温度，过渡层不是影响SiC薄膜结晶质量的主要因